Reklama.
Reklama.
Reklama.
Polak współpracuje z laureatem Nobla. Chce stworzyć laserowe diody przyszłości niczym z „Gwiezdnych wojen”
21 września 2015, 13:30·1 minuta czytania
Publikacja artykułu: 21 września 2015, 13:30Prof. Michał Leszczyński koordynuje grant badawczy w ramach współpracy Grupy Wyszehradzkiej oraz Japonii wspólnie z ubiegłorocznym laureatem Nagrody Nobla prof. Hiroshi Amano z Japonii oraz prof. Vaclavem Holy z Czech. Razem doskonalą technologię laserowych diod przyszłości – nasi naukowcy są prekursorami w tej dziedzinie w zakresie ich wytwarzania na bazie azotku galu.
Reklama.
To już działa w Blu-Ray
W ramach projektu Grant V4 Japan współpracują ze sobą 3 uczelnie – Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN), Uniwersytet Nagoya i Uniwersytet Karola w Pradze. Celem międzynarodowego projektu WISEGaN jest opracowanie nowej generacji diod laserowych, które znajdą zastosowanie w optoelektronice oraz fotowoltaice. Polacy zajmą się udoskonaleniem wykorzystania półprzewodników azotkowych, używanych m. in. na rynku Blu-Ray.
W ramach projektu Grant V4 Japan współpracują ze sobą 3 uczelnie – Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN), Uniwersytet Nagoya i Uniwersytet Karola w Pradze. Celem międzynarodowego projektu WISEGaN jest opracowanie nowej generacji diod laserowych, które znajdą zastosowanie w optoelektronice oraz fotowoltaice. Polacy zajmą się udoskonaleniem wykorzystania półprzewodników azotkowych, używanych m. in. na rynku Blu-Ray.
Jak wyjaśnia prof. Leszczyński w rozmowie z PAP, uczeni z naszego kraju chcą zwiększyć ich wydajność, aby świeciły mocniej niż dotychczas. Dlatego, że zmieszanie czerwonej barwy laserów powstających z arsenku galu GaAs z niebieskimi i zielonymi w oparciu o azotek galu GaN – umożliwia odtworzenie dowolnego koloru widzianego ludzkim okiem.
Nowatorskie diody oparte o tę technologię mają znaleźć zastosowanie telewizorach, dużych telebimach czy w projektorach stosowanych w smartfonach. Ponadto mają być również wykorzystywane do transmisji terabajtów danych między komputerami, sensorami oraz detektorami. Kolejnym ich zastosowaniem jest branża motoryzacyjna.
Polski patent
Projekt potrwa 3 lata i każda ze stron na jego realizację otrzymała grant w kwocie 125 tys. euro. Polscy naukowcy możliwość koordynowania tak zaawansowanych technologicznie prac badawczych zawdzięczają opatentowaniu metody wytwarzania kryształów podłożowych GaN i diod laserowych.
Projekt potrwa 3 lata i każda ze stron na jego realizację otrzymała grant w kwocie 125 tys. euro. Polscy naukowcy możliwość koordynowania tak zaawansowanych technologicznie prac badawczych zawdzięczają opatentowaniu metody wytwarzania kryształów podłożowych GaN i diod laserowych.
Z kolei prof. Michał Leszczyński jest wiceprezesem spółki TopGaN. Przy współpracy z IWC PAN rozwija technologię produkcji diod laserowych – aktualnie z prac laboratoryjnych firma przeszła do etapu instalacji prototypu w wersji przemysłowej.
Napisz do autora: kamil.sztandera@innpoland.pl
Źródło: Nauka w Polsce
Reklama.